5SHY65L4521 असममित थायरिस्टर IGCT | ABB

मध्यम-वोल्टेज इन्वर्टर लूप्स में उच्च गति ठोस-राज्य सर्किट कम्यूटेशन के लिए कॉन्फ़िगर किया गया, ABB 5SHY65L4521 (5SHY65L4521 असममित थायरिस्टर IGCT) सीधे भौतिक/विद्युत निष्पादन प्रदान करता है। यह डिवाइस एक एकीकृत गेट-कम्यूटेड सेमीकंडक्टर स्विच के रूप में कार्य करता है जो उच्च स्नबर्लेस टर्न-ऑफ ऑपरेशंस को 4500 V की पीक रिपीटिटिव ऑफ-स्टेट वोल्टेज तक निष्पादित करने के लिए असममित वेफर प्रोफ़ाइल का उपयोग करता है।

हार्डवेयर विनिर्देश

प्रोफिनेट / ईथरनेट/IP निर्धारक नेटवर्क प्रदर्शन

सेमीकंडक्टर डिस्क से जुड़ा भौतिक गेट यूनिट सब-माइक्रोसेकंड पल्स डिलीवरी की आवश्यकता रखता है जो सुपरवाइजरी कंट्रोलर की बैकप्लेन बस संचार गति के साथ सिंक्रनाइज़ हो। 6500 A के टर्न-ऑफ करंट लिमिट को प्रबंधित करने के लिए लॉजिक गेटिंग लूप के अंदर उच्च I/O घनत्व स्केलिंग आवश्यक है ताकि हार्डवेयर स्थिति फीडबैक प्रोफाइल बिना सिग्नल ह्रास के संसाधित हो सकें। गेट-ड्राइव कंट्रोलर और मुख्य फेज़ मॉड्यूलेशन यूनिट के बीच फर्मवेयर फ्लैश संगतता लागू करनी होगी ताकि निर्धारक फील्डबस बैकप्लेन पर पैकेट ट्रांसमिशन विलंब समाप्त हो सके।

अक्सर पूछे जाने वाले प्रश्न

प्रश्न: इस असममित IGCT के लिए लाइव इंसर्शन या हॉट-स्वैप सीमाएं क्या हैं?

उत्तर: इस डिवाइस का हॉट-स्वैपिंग पूरी तरह प्रतिबंधित है। सभी प्राथमिक 2800 VDC लिंक पोटेंशियल और सहायक पावर कनेक्शन को पूरी तरह से अलग और निर्वातित किया जाना चाहिए इससे पहले कि कोई यांत्रिक निकासी या हैंडलिंग की जाए।

प्रश्न: 55 kN यांत्रिक विनिर्देशन का तकनीकी महत्व क्या है?

उत्तर: 55 kN मान वह आवश्यक समान क्लैंपिंग बल है जो लक्षित फॉरवर्ड स्लोप रेसिस्टेंस (rT = 0.294 mOhm) प्राप्त करने और कॉपर पोल के माध्यम से थर्मल डिसिपेशन पथों को अनुकूलित करने के लिए जरूरी है।

प्रश्न: क्या इस डिवाइस को श्रृंखला कनेक्शन टोपोलॉजी में संचालित किया जा सकता है?

उत्तर: हाँ। हार्डवेयर नियंत्रण और पृथक्करण लेआउट उच्च-वोल्टेज डायरेक्ट करंट या मध्यम-फ्रीक्वेंसी स्केलिंग एरेज़ के लिए सीधे श्रृंखला कनेक्शन कॉन्फ़िगरेशन का समर्थन करते हैं।

फील्ड इंस्टॉलेशन दिशानिर्देश

• यांत्रिक संपीड़न प्रोफ़ाइल: असेंबली को एक कैलिब्रेटेड फोर्स क्लैंप फ्रेम में स्थापित करें। सिलिकॉन वेफर के स्थानिक विरूपण से बचने के लिए माउंटिंग उपकरण को समान रूप से टॉर्क करें जब तक कि 55 kN मेट्रिक तक न पहुंच जाएं।
• कंट्रोल हार्नेस पृथक्करण: निम्न-वोल्टेज नियंत्रण लाइन कनेक्शन और स्थिति फीडबैक तारों को अलग-अलग शील्डेड वायरवे के माध्यम से मार्गदर्शित करें। इन लाइनों को प्राथमिक 4500 V लाइनों से दूर रखें ताकि विद्युतचुंबकीय प्रतिरक्षा सुनिश्चित हो सके।
• थर्मल इंटरफेस सतह: सभी तरल या वायु-शीतलित हीटसिंक मेलिंग सतहों को ऑक्साइड हटाने के लिए साफ करें। घटक को क्लैंप करने से पहले कच्चे धातु इंटरफेस पर थर्मल पेस्ट की सूक्ष्म, समान परत लगाएं।