उत्पाद विवरण
समीक्षा
GE Fanuc का IC660ERD025 एक डीसी-चालित स्रोत इलेक्ट्रॉनिक्स मॉड्यूल है जिसे IC660BRD025 जीनियस मॉड्यूलर रेडंडेंसी सिंकिंग आउटपुट ब्लॉक्स के लिए विश्वसनीय इलेक्ट्रॉनिक समर्थन प्रदान करने के लिए डिज़ाइन किया गया है। उच्च प्रदर्शन संचालन के लिए डिज़ाइन किया गया यह मॉड्यूल सटीक स्रोत आउटपुट नियंत्रण और जीनियस I/O सिस्टम के भीतर सहज एकीकरण सुनिश्चित करता है। इसका कॉम्पैक्ट डिज़ाइन और व्यापक संचालन सीमा इसे स्थिरता और सटीकता की मांग करने वाले औद्योगिक स्वचालन अनुप्रयोगों के लिए उपयुक्त बनाता है।
तकनीकी विनिर्देश
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मॉडल नंबर: IC660ERD025
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निर्माता: GE Fanuc
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सीरीज: जीनियस I/O
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प्रकार: डीसी-चालित स्रोत इलेक्ट्रॉनिक्स मॉड्यूल
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संगत I/O ब्लॉक: IC660BRD025
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वोल्टेज रेटिंग: 24/48 V DC
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पावर खपत: सामान्यतः 150 mA / अधिकतम 300 mA
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ऑपरेटिंग तापमान: 0°C से 60°C
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भंडारण तापमान: -40°C से 100°C
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सापेक्ष आर्द्रता: 5% से 95%, बिना संघनन के
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वजन: लगभग 1 पाउंड (0.45 किग्रा)
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माउंटिंग: जीनियस I/O सिस्टम रैक्स के साथ संगत
मुख्य विशेषताएं
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IC660BRD025 आउटपुट ब्लॉक्स के लिए पूर्ण इलेक्ट्रॉनिक कार्यक्षमता प्रदान करता है
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कॉम्पैक्ट, हल्का, और एकीकृत करने में आसान
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स्थिर डीसी संचालन के लिए व्यापक वोल्टेज सहिष्णुता
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मानक औद्योगिक तापमान सीमा में विश्वसनीय संचालन
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स्केलेबल कॉन्फ़िगरेशन के लिए मॉड्यूलर जीनियस I/O सिस्टम के साथ संगत
अनुप्रयोग
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जीनियस I/O नेटवर्क में रेडंडेंट स्रोत आउटपुट नियंत्रण
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वितरित प्रक्रिया नियंत्रण और निगरानी
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स्थिर डीसी-चालित स्रोत इलेक्ट्रॉनिक्स की आवश्यकता वाले औद्योगिक स्वचालन अनुप्रयोग
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विश्वसनीय और सटीक आउटपुट नियंत्रण की आवश्यकता वाले वातावरण
अक्सर पूछे जाने वाले प्रश्न
प्रश्न: IC660ERD025 किस आउटपुट ब्लॉक का समर्थन करता है?
उत्तर: इसे विशेष रूप से IC660BRD025 जीनियस मॉड्यूलर रेडंडेंसी सिंकिंग आउटपुट ब्लॉक के लिए डिज़ाइन किया गया है।
प्रश्न: सामान्य करंट खपत क्या है?
उत्तर: सामान्य संचालन के दौरान 150 mA, अधिकतम 300 mA।
प्रश्न: क्या यह चरम भंडारण तापमान सहन कर सकता है?
उत्तर: हाँ, इसे -40°C से 100°C तक भंडारित किया जा सकता है जबकि कार्यात्मक अखंडता बनी रहती है।
अतिरिक्त जानकारी
- 100% असली पुर्जे: सभी उत्पाद मूल और प्रामाणिक हैं, जो विश्वसनीय औद्योगिक प्रदर्शन सुनिश्चित करते हैं।
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