IC660EBD110P1 GE Genius I/O 16-Punkt Nur-Eingangsmodul

Übersicht:
Das IC660EBD110P1 von GE Fanuc ist ein Elektronikmodul mit 16 Eingangsleitungen, das ausschließlich Eingänge für Genius I/O-Systeme bereitstellt. Es bietet präzise und zuverlässige Verarbeitung von Wechselstrom-Diskreteingängen und ist ideal für industrielle Automatisierungsumgebungen, die eine Hochspannungssignalverarbeitung und robuste Leistung erfordern.

Hauptmerkmale:

• Eingangskanäle: 16 diskrete Wechselstromeingangskreise

• Nenn-Eingangsspannung: 115 VAC, unterstützt Bereich von 93–132 VAC

• Frequenzbereich: 47–63 Hz

• Eingangswiderstand: 11,6 kΩ pro Kreis

• Isolationsbewertung: 1500 V Eingang-zu-Erde für sicheren Betrieb

• Wärmeabgabe: Bis zu 28 W bei allen aktiven Eingängen

• Stromversorgung: 8 mA Blockstrom, 200 mA Kreisstrom

• Betriebstemperatur: 0°C bis 60°C

• Lagerungstemperatur: –40°C bis 100°C

• Feuchtigkeitstoleranz: 5% bis 95% nicht kondensierend

• Vibrationsbeständigkeit: 5–10 Hz, 2" Auslenkung

• Abmessungen: 22,2 cm × 8,9 cm × 10 cm

• Gewicht: Ca. 1,81 kg

• Kompatibilität: Terminalbasis IC660TBD110, Blockbaugruppe IC660BBD110

Anwendungen:

• Diskrete Wechselstromsignal-Schnittstellen für verteilte Steuerungssysteme

• Verarbeitung von Hochspannungs-Wechselstromeingängen in Industriemaschinen

• Integration in bestehende oder ältere Genius I/O-Automatisierungssysteme

• Dichte Steuerungsschrank-Layouts, die kompakte Module erfordern

• Industrielle Umgebungen, die robuste und zuverlässige Leistung verlangen

FAQ:
F: Ist dieses Modul fabrikneu und original?
A: Ja, alle Einheiten sind brandneu und originale GE Fanuc Genius I/O-Module.

F: Kann es Hochspannungs-Wechselstromsignale verarbeiten?
A: Ja, es arbeitet zuverlässig im Bereich von 93–132 VAC.

F: Welche Terminalbasis wird für die Installation benötigt?
A: Kompatibel mit der Terminalbasis IC660TBD110 für nahtlose Integration.