{"product_id":"ge-d20-eme-ethernet-and-memory-expansion-module","title":"GE D20 EME ईथरनेट और मेमोरी विस्तार मॉड्यूल","description":"\u003cp\u003e\u003cstrong\u003eGE D20 EME\u003c\/strong\u003e, जिसे \u003cstrong\u003eD20 EME\u003c\/strong\u003e ईथरनेट और मेमोरी एक्सपेंशन मॉड्यूल के रूप में भी सूचीबद्ध किया गया है, D20 सबस्टेशन ऑटोमेशन प्लेटफॉर्म में स्थानीयकृत प्रोसेसिंग स्केलिंग और नेटवर्क माध्यम रूपांतरण के लिए समर्पित हार्डवेयर घटक के रूप में कार्य करता है।\u003c\/p\u003e\n\u003ch3\u003eहार्डवेयर विनिर्देश\u003c\/h3\u003e\n\u003cfigure class=\"table\"\u003e\n\u003ctable\u003e\n\u003cthead\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003cth\u003e\u003cstrong\u003eपैरामीटर\u003c\/strong\u003e\u003c\/th\u003e\n\u003cth\u003e\u003cstrong\u003eविशेष विवरण\u003c\/strong\u003e\u003c\/th\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003c\/thead\u003e\n\u003ctbody\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003eमॉडल\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003eD20 EME\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003eब्रांड\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003eGE (जनरल इलेक्ट्रिक)\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003eमूल\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003eसंयुक्त राज्य अमेरिका\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003eवजन\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003eमानक रैक घटक वजन\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003eआयाम\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e19.0\" चौड़ा x 5.25\" ऊंचा x 8.1\" गहरा\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003eऑपरेटिंग तापमान\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e-20 से 60 डिग्री सेल्सियस\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003eपावर खपत\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003eबेस पावर इनपुट पर निर्भर\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003eपावर सप्लाई विकल्प\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e20-60 VDC \/ 100-300 VDC \/ 85-264 VAC\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003eसमर्थित मीडिया प्रकार\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e10Base-T, 10Base-2, 10Base-FL\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003eमेमोरी विकल्प\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e0 MB, 8 MB, या 16 MB बैटरी-समर्थित SRAM\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003eसंचार पोर्ट\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e7 RS-232\/485 सीरियल, 1 RS-232 मेंटेनेंस, 2 D.20 लिंक HDLC\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003eमानक अनुपालन\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003eEN 61000-6-2 (इम्युनिटी), EN 61000-6-4 (एमिशन)\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003c\/tbody\u003e\n\u003c\/table\u003e\n\u003c\/figure\u003e\n\u003ch3\u003eसफिक्स ब्रेकडाउन और मॉडल मैट्रिक्स\u003c\/h3\u003e\n\u003cul\u003e\n\u003cli\u003e\n\u003cstrong\u003eD20 EME\u003c\/strong\u003e: बेस मॉड्यूल आर्किटेक्चर जो ईथरनेट और मेमोरी एक्सपेंशन क्षमता को दर्शाता है।\u003c\/li\u003e\n\u003cli\u003e\n\u003cstrong\u003eमेमोरी मैट्रिक्स कॉन्फ़िगरेशन\u003c\/strong\u003e: अलग-अलग फैक्ट्री असेंबली प्रोफाइल ऑनबोर्ड बैटरी-समर्थित अस्थायी मेमोरी रिटेंशन क्षमताओं को निर्दिष्ट करते हैं, जिन्हें स्पष्ट रूप से 0 MB, 8 MB, या 16 MB SRAM लेआउट के रूप में कोडित किया गया है।\u003c\/li\u003e\n\u003cli\u003e\n\u003cstrong\u003eपावर सप्लाई मैट्रिक्स कोड\u003c\/strong\u003e: बेस डिज़ाइन आंतरिक पावर बोर्ड इंस्टॉलेशन प्रोफाइल से संबंधित हैं, जो निम्न-वोल्टेज डायरेक्ट करंट (20-60 VDC) को यूनिवर्सल हाई-वोल्टेज रेंज (100-300 VDC \/ 85-264 VAC) से अलग करते हैं।\u003c\/li\u003e\n\u003c\/ul\u003e\n\u003ch3\u003eफर्मवेयर फ्लैश संगतता और सीरियल-से-ईथरनेट प्रोसेसिंग\u003c\/h3\u003e\n\u003cp\u003eप्रोसेसिंग आर्किटेक्चर लेगेसी HDLC पेरिफेरल नेटवर्क और बाहरी सबस्टेशन लिंक के बीच डेटा पैकेट रूटिंग को संभालता है। सीरियल-से-ईथरनेट अनुवाद दरें स्थानीयकृत टाइमिंग ब्लॉकों से मेल खाती हैं ताकि असिंक्रोनस कनेक्शनों पर डेटा कटौती न हो। डायग्नोस्टिक लॉगिंग की अखंडता सुनिश्चित करने और अस्थायी SRAM बैंकों में मेमोरी पैरिटी विफलताओं को रोकने के लिए, नोड इंटीग्रेशन पूरी तरह से सक्रिय D20 मास्टर कंट्रोलर बेसप्लेट के फर्मवेयर फ्लैश संगतता नियमों की सटीक जांच पर निर्भर करता है।\u003c\/p\u003e\n\u003ch3\u003eअक्सर पूछे जाने वाले प्रश्न\u003c\/h3\u003e\n\u003cp\u003eप्रश्न: क्या D20 EME मॉड्यूल लाइव बैकप्लेन इंसर्शन या हॉट-स्वैप सुधार का समर्थन करता है?\u003c\/p\u003e\n\u003cp\u003eउत्तर: नहीं। उच्च गति प्रोसेसिंग बस के आंतरिक लॉजिक कनेक्शन और साझा पता लाइनों में सक्रिय विद्युत पृथक्करण सीमाएं नहीं हैं। हार्डवेयर लैच-अप को रोकने के लिए यूनिट को स्थापित करने से पहले चेसिस पावर बस को लॉक आउट करना आवश्यक है।\u003c\/p\u003e\n\u003cp\u003eप्रश्न: यदि बैटरी-समर्थित SRAM कॉन्फ़िगरेशन को अपग्रेड किया जाता है तो मेमोरी मैपिंग कैसे प्रबंधित की जाती है?\u003c\/p\u003e\n\u003cp\u003eउत्तर: मेमोरी कॉन्फ़िगरेशन बदलने के लिए सर्किट बोर्ड पर भौतिक जंपर्स सेट करना और एक मेल खाते फर्मवेयर फ्लैश संगतता स्क्रिप्ट लागू करना आवश्यक है। यह प्रक्रिया सुनिश्चित करती है कि D20 ऑपरेटिंग सिस्टम बूट इनिशियलाइज़ेशन के दौरान विस्तारित मेमोरी पता स्थानों को पहचानता है।\u003c\/p\u003e\n\u003ch3\u003eफील्ड इंस्टॉलेशन दिशानिर्देश\u003c\/h3\u003e\n\u003cul\u003e\n\u003cli\u003e\n\u003cstrong\u003eचेसिस रैक संरेखण:\u003c\/strong\u003e 19\" मॉड्यूल को निर्दिष्ट सब-रैक गाइड रेल में सावधानीपूर्वक स्लाइड करें, फ्रंट-पैनल के चारों थम्बस्क्रू को फ्रेम से कसकर बंद करें ताकि समान ग्राउंडिंग निरंतरता सुनिश्चित हो सके।\u003c\/li\u003e\n\u003cli\u003e\n\u003cstrong\u003eफाइबर ऑप्टिक ऑप्टिकल कनेक्शन:\u003c\/strong\u003e सभी 10Base-FL ST कनेक्टर्स को डालने से पहले साफ करें, यह सुनिश्चित करते हुए कि फाइबर के मोड़ त्रिज्या 30 मिमी से ऊपर हो ताकि संरचनात्मक सिग्नल ह्रास से बचा जा सके।\u003c\/li\u003e\n\u003cli\u003e\n\u003cstrong\u003eसीरियल कम्युनिकेशन लाइन शील्डिंग:\u003c\/strong\u003e सभी बाहरी RS-485 नेटवर्क ड्रेन तारों को केवल चेसिस प्रवेश बिंदु पर ग्राउंड करें, सात सक्रिय संचार पोर्टों में स्थानीय कॉमन-मोड शोर को दबाने के लिए।\u003c\/li\u003e\n\u003c\/ul\u003e","brand":"General 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