{"product_id":"abb-3bhe014105r0001-5shx26l4510-5sxe05-0154-igct-module","title":"Módulo IGCT ABB 3BHE014105R0001 5SHX26L4510 5SXE05-0154","description":"\u003cp\u003eEl \u003cstrong\u003eABB 5SHY3545L0020 3BHE014105R0001\u003c\/strong\u003e, también catalogado como el módulo \u003cstrong\u003e5SHY3545L0020\u003c\/strong\u003e IGCT, funciona como un componente de hardware dedicado para conmutación de semiconductores de alta potencia dentro de plataformas de generación eléctrica y accionamientos eléctricos. El dispositivo ejecuta rutinas de tiristor integrado con puerta conmutada y conducción inversa (RC-IGCT) de forma nativa en el nivel de maquinaria, gestionando un voltaje pico repetitivo en estado de bloqueo de 4500 V y un voltaje permanente del enlace de CC de 2800 V. Equilibra altas calificaciones de apagado sin snubber con una interfaz de control simple, utilizando líneas de retroalimentación óptica para registrar cambios de estado a través de redes de frecuencia media.\u003c\/p\u003e\n\u003ch3\u003eEspecificaciones de hardware  \u003c\/h3\u003e\n\u003cfigure class=\"table\"\u003e\n\u003ctable\u003e\n\u003cthead\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003cth\u003e\u003cstrong\u003eParámetro  \u003c\/strong\u003e\u003c\/th\u003e\n\u003cth\u003e\u003cstrong\u003eEspecificación\u003c\/strong\u003e\u003c\/th\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003c\/thead\u003e\n\u003ctbody\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003eModelo\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e5SHY3545L0020 3BHE014105R0001 5SXE05-0154  \u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003eMarca\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003eABB\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003eOrigen\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003eSuiza (ABB Switzerland Ltd. Semiconductors)  \u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003ePeso\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003eEnsamblaje press-pack para uso intensivo dependiente  \u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003eDimensiones\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003eFormato estándar estructural press-pack  \u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003eTemperatura de operación  \u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e0 a 125 °C (Temperatura de operación de la unión)  \u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003eConsumo de energía  \u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003eConsumo de la unidad de puerta: Máx 100 W  \u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003eTipo de Producto\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003eTiristor integrado con puerta conmutada y conducción inversa (RC-IGCT)  \u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003eCódigo de producto  \u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e5SHX 26L4510\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003eVoltaje pico repetitivo en estado de bloqueo (VDRM)  \u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e4500 V  \u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003eVoltaje permanente del enlace de CC (VDC-link)  \u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e2800 V (para tasa de fallos de 100 FIT)  \u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003eCalificaciones de corriente continua del GCT  \u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003ePromedio máximo: 1010 A \/ RMS máximo: 1590 A  \u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003eCorriente de sobretensión no repetitiva del GCT (ITSM)  \u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e17 x 10^3 A  \u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003eCaída de voltaje en estado de conducción del GCT (VT)  \u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e2.3 V a 2.95 V  \u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003eParámetros de encendido  \u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003eTiempo de retardo (tdon): 3.5 us \/ Energía por pulso (Eon): 0.85 J \/ di\/dt crítico: 100 A\/us  \u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003eCalificaciones de corriente continua del diodo  \u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003ePromedio máximo: 390 A \/ RMS máximo: 620 A  \u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003eCorriente de sobretensión no repetitiva del diodo (IFSM)  \u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e10.6 x 10^3 A  \u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003eCaída de voltaje en estado de conducción del diodo (VF)  \u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e3.54 V a 5.4 V  \u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003eParámetros de recuperación inversa del diodo  \u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003eCorriente de recuperación (IRM): 900 A \/ Carga de recuperación (Qrr): 2800 uC  \u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003eRequisitos de entrada de la unidad de puerta  \u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003eVoltaje (VGIN,RMS): 28 V a 40 V \/ Corriente mínima de encendido (IGIN): 2.1 A  \u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003eResistencia térmica (Unión a carcasa)  \u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003eGCT: 12.6 K\/kW \/ Diodo: 26 K\/kW  \u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003eRango de temperatura de almacenamiento  \u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e-40 a 60 °C  \u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003c\/tbody\u003e\n\u003c\/table\u003e\n\u003c\/figure\u003e\n\u003ch3\u003eRedes deterministas Profinet \/ EtherNet\/IP  \u003c\/h3\u003e\n\u003cp\u003eEl módulo semiconductor de alta potencia aísla sus parámetros de tiempo de retardo de encendido rápido de los ciclos más lentos del backplane de control mediante interfaces ópticas localizadas. Mantener la compatibilidad del firmware flash entre bloques de control de excitación de accionamiento coincidentes permite que la unidad de puerta suministre la corriente base continua de encendido de 2.1 A sin introducir caídas de voltaje en el enlace de potencia principal. Las rutas de retroalimentación diagnóstica se mapean directamente desde la unidad de puerta integrada a las redes deterministas Profinet \/ EtherNet\/IP del host, manteniendo un seguimiento de ejecución submilisegundo de las temperaturas de operación de la unión y los límites de bloqueo.\u003c\/p\u003e\n\u003ch3\u003ePreguntas Frecuentes\u003c\/h3\u003e\n\u003cp\u003eP: ¿Cuáles son los límites de corriente y potencia del backplane al inicializar la unidad de puerta integrada?\u003c\/p\u003e\n\u003cp\u003eA: La unidad de puerta requiere una corriente mínima absoluta (IGIN) de 2.1 A rms dentro de una ventana de voltaje de 28 V a 40 V para encender su lógica interna de conducción. El consumo total de potencia en estado estable (PGIN) alcanza un pico de 100 W bajo cargas máximas de frecuencia media.\u003c\/p\u003e\n\u003cp\u003eP: ¿Se puede intercambiar este módulo en caliente mientras el enlace permanente de 2800 VCC está aislado pero los lazos de control auxiliares están energizados?\u003c\/p\u003e\n\u003cp\u003eA: No. El dispositivo press-pack requiere una distribución precisa de la fuerza mecánica y la completa desenergización tanto de las rutas de bloqueo de 4500 V como de las líneas de alimentación de puerta de 28 V a 40 V antes del servicio. Intentar retirarlo con la alimentación auxiliar activa dañará permanentemente los componentes de retroalimentación óptica del estado.\u003c\/p\u003e\n\u003ch3\u003eDirectrices para la Instalación en Campo\u003c\/h3\u003e\n\u003cul\u003e\n\u003cli\u003e\n\u003cstrong\u003ePrecisión del Sujeción Mecánica\u003c\/strong\u003e: Monta el módulo dentro de un marco press-pack aprobado que garantice una distribución paralela de la presión sobre las caras de los polos para cumplir con los parámetros de resistencia térmica 12.6 K\/kW del GCT.\u003c\/li\u003e\n\u003cli\u003e\n\u003cstrong\u003eEnrutamiento del Cable de Suministro de la Unidad de Puerta\u003c\/strong\u003e: Mantén los cables auxiliares de alimentación CA o CC que alimentan la unidad de puerta separados de las fases de motor de alta corriente o líneas de alto voltaje para evitar la inducción de ruido electromagnético.\u003c\/li\u003e\n\u003cli\u003e\n\u003cstrong\u003eCuidado de la Línea de Aislamiento Óptico\u003c\/strong\u003e: Enruta las líneas de retroalimentación del estado de la fibra óptica con un radio de curvatura que siga estrictamente los estándares industriales para eliminar la degradación de la señal o la distorsión del pulso durante operaciones de conmutación de sub-microsegundos.\u003c\/li\u003e\n\u003c\/ul\u003e","brand":"ABB","offers":[{"title":"Default Title","offer_id":53047698817333,"sku":"3BHE014105R0001 5SHX26L4510 5SXE05-0154","price":66.0,"currency_code":"USD","in_stock":true}],"thumbnail_url":"\/\/cdn.shopify.com\/s\/files\/1\/0973\/7630\/5461\/files\/3BHE014105R00015SHY3545L00205SXE080166_1410d3bb-b527-4015-80aa-1138550c8f47.png?v=1782727221","url":"https:\/\/www.5gplc.com\/es\/products\/abb-3bhe014105r0001-5shx26l4510-5sxe05-0154-igct-module","provider":"High Five PLC Solution Limited","version":"1.0","type":"link"}