{"product_id":"vmivme5565-332-015565-010-ge-reflective-memory-node-card","title":"بطاقة عقدة الذاكرة العاكسة GE VMIVME5565 332-015565-010","description":"\u003cp\u003eتعمل \u003cstrong\u003eGE VMIVME5565 332-015565-010\u003c\/strong\u003e كبطاقة عقدة ذاكرة عاكسة رئيسية \u003cstrong\u003eVMIVME5565\u003c\/strong\u003e تُستخدم لتنفيذ تكرار بيانات حتمي عالي السرعة عبر منصات الشبكات الموزعة في الوقت الحقيقي.\u003c\/p\u003e\n\u003ch3\u003eالمواصفات الفنية\u003c\/h3\u003e\n\u003cfigure class=\"table\"\u003e\n\u003ctable\u003e\n\u003cthead\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003cth\u003e\u003cstrong\u003eالمعلمة\u003c\/strong\u003e\u003c\/th\u003e\n\u003cth\u003e\u003cstrong\u003eالمواصفة\u003c\/strong\u003e\u003c\/th\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003c\/thead\u003e\n\u003ctbody\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003eالنموذج\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003eVMIVME5565 332-015565-010\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003eالعلامة التجارية\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003eGE Fanuc\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003eالمنشأ\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003eالولايات المتحدة الأمريكية\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003eالوزن\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003eوزن الوحدة القياسية\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003eالأبعاد\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003eعوامل الشكل PMC، PCI Express، PCI، أو VME\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003eدرجة حرارة التشغيل\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e0 - 60 درجة مئوية\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003eاستهلاك الطاقة\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003eيعتمد على واجهة الفتحة\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003eسرعة الاتصال التسلسلي\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e2.12 جيجابود\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003eأحجام الحزم الديناميكية\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003eمن 4 إلى 64 بايت\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003eمعدل بيانات الشبكة\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003eحتى 170 ميجابايت\/ثانية مستمرة\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003eزمن انتقال البيانات\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e450 إلى 500 نانوثانية بين العقد\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003eالذاكرة المدمجة\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e128 ميجابايت أو 256 ميجابايت SDRAM\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003eحد الألياف متعددة الوضع\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003eحتى 300 متر\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003eحد الألياف أحادية الوضع\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003eحتى 10 كيلومترات\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003c\/tbody\u003e\n\u003c\/table\u003e\n\u003c\/figure\u003e\n\u003ch3\u003eشبكات Profinet \/ EtherNet\/IP الحتمية وإدارة الأخطاء\u003c\/h3\u003e\n\u003cp\u003eيحقق واجهة الشبكة تكرار بيانات منخفض الكمون باستخدام هيكل حلقة ألياف بصرية مخصصة بسرعة 2.12 جيجابود منفصلة عن شبكات Profinet \/ EtherNet\/IP الحتمية القياسية. تدير المنطق المدمج للأجهزة اكتشاف الأخطاء تلقائيًا لحماية البيانات من الفقدان أثناء نقل الحزم، مما يمنع عدم تزامن الذاكرة عبر شبكة العقد. تتجاوز هذه البنية عبء شبكة البروتوكول القياسية من خلال تعيين تكوينات الذاكرة البعيدة مباشرة إلى مصفوفة SDRAM المحلية.\u003c\/p\u003e\n\u003ch3\u003eالأسئلة المتكررة\u003c\/h3\u003e\n\u003cp\u003eس: ما الذي يحدد تأخير التبديل أو تأخر التزامن بين العقد على حلقة الذاكرة العاكسة؟\u003c\/p\u003e\n\u003cp\u003eج: زمن انتقال نقل البيانات الفيزيائي محدود بين 450 إلى 500 نانوثانية بين العقد المتتالية. يتراكم إجمالي زمن انتقال الحلقة بناءً على طول الألياف الكلي وعدد بطاقات العقد النشطة المثبتة في الحلقة.\u003c\/p\u003e\n\u003cp\u003eس: كيف تؤثر إعدادات توافق فلاش البرنامج الثابت على تنفيذ المقاطعات بين العقد؟\u003c\/p\u003e\n\u003cp\u003eج: تتطلب عمليات نقل المقاطعات بين العقد تطابق برامج دعم اللوحة وإصدارات نظام التشغيل المستهدف. ستمنع معلمات التهيئة غير المتوافقة انتشار المقاطعات بين العقد، مما يؤدي إلى حجب عمليات كتابة السجلات القياسية.\u003c\/p\u003e\n\u003ch3\u003eإرشادات التثبيت الميداني\u003c\/h3\u003e\n\u003cul\u003e\n\u003cli\u003e\n\u003cstrong\u003eنصف قطر انحناء الألياف البصرية:\u003c\/strong\u003e حافظ على الحد الأدنى لنصف قطر الانحناء الموصى به لجميع وصلات الألياف متعددة الوضع وأحادية الوضع لتجنب تلاشي إشارة الليزر التسلسلية بسرعة 2.12 جيجابود.\u003c\/li\u003e\n\u003cli\u003e\n\u003cstrong\u003eالتحقق من تطابق المحولات الضوئية:\u003c\/strong\u003e تأكد من أن المحولات الضوئية على وحدات العقد المجاورة تتطابق تمامًا في مواصفات الطول الموجي؛ لا تخلط بين وصلات الألياف متعددة الوضع وأحادية الوضع.\u003c\/li\u003e\n\u003cli\u003e\n\u003cstrong\u003eمنع التفريغ الكهربائي الساكن:\u003c\/strong\u003e أرضِ جميع الأدوات الميدانية وارتدِ سوار ESD المعاير قبل التعامل مع مكونات البطاقة لمنع تدهور دوائر SDRAM المدمجة بسبب الكهرباء الساكنة.\u003c\/li\u003e\n\u003c\/ul\u003e","brand":"General Electric","offers":[{"title":"Default Title","offer_id":53114124009781,"sku":"VMIVME5565 332-015565-010","price":66.0,"currency_code":"USD","in_stock":true}],"thumbnail_url":"\/\/cdn.shopify.com\/s\/files\/1\/0973\/7630\/5461\/files\/VMIVME5565332-015565-010.png?v=1783667107","url":"https:\/\/www.5gplc.com\/ar\/products\/vmivme5565-332-015565-010-ge-reflective-memory-node-card","provider":"High Five PLC Solution Limited","version":"1.0","type":"link"}