{"product_id":"is200vaich1cbr-ge-mark-vi-analog-input-vme-module","title":"IS200VAICH1CBR وحدة إدخال تناظرية VME من GE Mark VI","description":"\u003cp\u003eتعمل وحدة \u003cstrong\u003eGE IS200VAICH1CBR\u003c\/strong\u003e، المدرجة أيضًا باسم \u003cstrong\u003eIS200VAICH1\u003c\/strong\u003e، كوحدة أجهزة مخصصة لاكتساب الإشارات التناظرية ومعالجة البيانات في الوقت الفعلي ضمن منصات التحكم بالتوربينات Mark VI.\u003c\/p\u003e\n\u003ch3\u003eمواصفات الأجهزة\u003c\/h3\u003e\n\u003cfigure class=\"table\"\u003e\n\u003ctable\u003e\n\u003cthead\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003cth\u003e\u003cstrong\u003eالمعلمة\u003c\/strong\u003e\u003c\/th\u003e\n\u003cth\u003e\u003cstrong\u003eالمواصفة\u003c\/strong\u003e\u003c\/th\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003c\/thead\u003e\n\u003ctbody\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003eالطراز\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003eIS200VAICH1CBR\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003eالعلامة التجارية\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003eGE (جنرال إلكتريك)\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003eالمنشأ\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003eالولايات المتحدة الأمريكية\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003eالوزن\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e0.3 كجم\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003eالأبعاد\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e12 سم × 15.3 سم × 6.8 سم\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003eدرجة حرارة التشغيل\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003eمن -40 إلى 85 درجة مئوية\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003eاستهلاك الطاقة\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003eاستهلاك طاقة قياسي للوحة VME الخلفية\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003eبنية النظام\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003eعامل شكل VMEbus\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003eالتطبيق\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003eنظام Mark VI Speedtronic\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003eالمعالج\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003eAMD Ryzen Embedded V1000\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003eالذاكرة\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003eحتى 8 جيجابايت DDR4\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003eالتخزين\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003eذاكرة eMMC بسعة 64 جيجابايت\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003eاعتماد السلامة\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003eمتوافق مع IEC 61508 SIL 3\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003c\/tbody\u003e\n\u003c\/table\u003e\n\u003c\/figure\u003e\n\u003ch3\u003eاتصالات ناقل اللوحة الخلفية وتنفيذ المنطق\u003c\/h3\u003e\n\u003cp\u003eتتصل الوحدة مباشرة باللوحة الخلفية لحامل التحكم Mark VI عبر بنية VMEbus الخاصة بها. وتتيح سرعة الاتصال العالية عبر ناقل اللوحة الخلفية رقمنة الإشارات التناظرية ومعالجتها بسرعة، من دون التسبب في تأخيرات اختناق أثناء حلقات التحكم الحرجة.\u003c\/p\u003e\n\u003cp\u003eتدعم إمكانات المعالجة معالج AMD Ryzen Embedded V1000 وذاكرة DDR4 بسعة تصل إلى 8 جيجابايت، مما يتيح إجراء التشخيصات في الوقت الفعلي على البطاقة وتنفيذ البرامج الثابتة المخزنة في وحدة تخزين فلاش غير متطايرة من نوع eMMC بسعة 64 جيجابايت. وتدعم بنية اللوحة توسيع كثافة وحدات الإدخال والإخراج عبر فتحات النظام، مع الحفاظ على تزامن توقيت صارم مع وحدات التحكم المركزية.\u003c\/p\u003e\n\u003ch3\u003eالأسئلة الشائعة\u003c\/h3\u003e\n\u003cp\u003eس: ما بروتوكول الواجهة وتنسيق اللوحة الخلفية اللذان تستخدمهما وحدة IS200VAICH1CBR؟\u003c\/p\u003e\n\u003cp\u003eج: تستخدم الوحدة بنية قياسية بفتحة VMEbus واحدة، مصممة للتكامل المباشر في حوامل التحكم GE Mark VI Speedtronic.\u003c\/p\u003e\n\u003cp\u003eس: هل يمكن إدخال وحدة IS200VAICH1CBR أو إخراجها أثناء تشغيل اللوحة الخلفية VME بالطاقة؟\u003c\/p\u003e\n\u003cp\u003eج: لا. يجب عزل طاقة النظام عن حامل VME بالكامل قبل تركيب الوحدة أو إزالتها، لتجنب حدوث تلف بالقوس الكهربائي في دبابيس اللوحة الخلفية أو تعطل معالجة الناقل في الوقت الفعلي.\u003c\/p\u003e\n\u003cp\u003eس: ما معايير توافق السلامة المضمنة في بنية الوحدة؟\u003c\/p\u003e\n\u003cp\u003eج: صُممت البطاقة وفقًا لمواصفات IEC 61508، وحصلت على اعتماد SIL 3 لتنفيذها ضمن حلقات التحكم الحرجة للسلامة.\u003c\/p\u003e\n\u003ch3\u003eإرشادات التركيب الميداني\u003c\/h3\u003e\n\u003col\u003e\n\u003cli\u003e\n\u003cstrong\u003eعزل الطاقة\u003c\/strong\u003e: افصل الطاقة عن جميع مصادر التغذية الرئيسية للحامل المتصلة بعلبة VME قبل إدخال الوحدة أو إزالتها.\u003c\/li\u003e\n\u003cli\u003e\n\u003cstrong\u003eسلامة التأريض\u003c\/strong\u003e: صِل سوارًا مضادًا للكهرباء الساكنة (ESD) بنقطة تأريض مؤكدة في الهيكل قبل لمس بطاقة الدائرة أو التعامل مع أطراف توصيل الأسلاك الميدانية.\u003c\/li\u003e\n\u003cli\u003e\n\u003cstrong\u003eالمحاذاة الميكانيكية\u003c\/strong\u003e: أدخل اللوحة في فتحة حامل VME المخصصة، ووجّه بطاقات الحافة بعناية على امتداد قضبان الفتحة حتى تلامس الموصلات الخلفية متعددة الدبابيس من نوع DIN اللوحة الخلفية.\u003c\/li\u003e\n\u003cli\u003e\n\u003cstrong\u003eتثبيت الموصلات\u003c\/strong\u003e: ادفع مقابض استخراج الوحدة إلى الداخل لتثبيت موصلات الحافة في اللوحة الخلفية VME، ثم أحكم ربط برغيي التثبيت العلوي والسفلي يدويًا.\u003c\/li\u003e\n\u003cli\u003e\n\u003cstrong\u003eالأسلاك الميدانية والتدريع\u003c\/strong\u003e: مرّر كابلات إدخال الإشارات التناظرية بعيدًا عن خطوط التيار المتردد عالي الجهد. وتأكد من تأريض أسلاك تصريف دروع الكابلات عند قضبان التأريض المخصصة للحامل، للحد من التداخل الكهرومغناطيسي على القنوات التناظرية.\u003c\/li\u003e\n\u003c\/ol\u003e","brand":"General Electric","offers":[{"title":"Default Title","offer_id":53266913067317,"sku":"IS200VAICH1CBR","price":66.0,"currency_code":"USD","in_stock":true}],"thumbnail_url":"\/\/cdn.shopify.com\/s\/files\/1\/0973\/7630\/5461\/files\/IS200VAICH1CBA_2f53e85a-c4bd-4ac6-b324-6e867270bc8c.png?v=1786411369","url":"https:\/\/www.5gplc.com\/ar\/products\/is200vaich1cbr-ge-mark-vi-analog-input-vme-module","provider":"High Five PLC Solution Limited","version":"1.0","type":"link"}