{"product_id":"ge-vmivme5576-332-015576-010-reflective-memory-module","title":"وحدة الذاكرة العاكسة GE VMIVME5576 332-015576-010","description":"\u003cp\u003eتعمل \u003cstrong\u003eGE VMIVME5576 332-015576-010\u003c\/strong\u003e كوحدة الذاكرة العاكسة الأساسية \u003cstrong\u003eVMIVME5576\u003c\/strong\u003e المستخدمة لتنفيذ تكرار بيانات حتمي عالي السرعة عبر منصات شبكة الألياف الضوئية متعددة النقاط.\u003c\/p\u003e\n\u003ch3\u003eالمواصفات الفنية\u003c\/h3\u003e\n\u003cfigure class=\"table\"\u003e\n\u003ctable\u003e\n\u003cthead\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003cth\u003e\u003cstrong\u003eالمعلمة\u003c\/strong\u003e\u003c\/th\u003e\n\u003cth\u003e\u003cstrong\u003eالمواصفة\u003c\/strong\u003e\u003c\/th\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003c\/thead\u003e\n\u003ctbody\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003eالنموذج\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003eVMIVME5576 332-015576-010\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003eالعلامة التجارية\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003eGE Fanuc\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003eالمنشأ\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003eالولايات المتحدة\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003eالوزن\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003eوزن لوحة VME القياسية\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003eالأبعاد\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003eبطاقة VMEbus بمقاس فتحة واحدة\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003eدرجة حرارة التشغيل\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e0 - 60 درجة مئوية\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003eاستهلاك الطاقة\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003eيعتمد على قضبان اللوحة الخلفية\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003eسعة الذاكرة\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003eذاكرة SRAM بسعة 256 كيلوبايت على اللوحة\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003eتخزين FIFO\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003eFIFO نقل 4 كيلوبايت (روابط الإرسال\/الاستقبال)\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003eالواجهة البصرية\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003eST\/PC\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003eنوع الألياف\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003eألياف متعددة الأنماط بقطر 62.5 ميكرومتر\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003eمعدل نقل البيانات\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003eحتى 6.2 ميجابايت\/ثانية (بدون نقل مكرر)\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003eسعة الشبكة\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003eحتى 256 عقدة\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003eسرعة الرابط التسلسلي\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e170 ميغابود\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003eتباعد العقد\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003eحتى 2000 متر\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003c\/tbody\u003e\n\u003c\/table\u003e\n\u003c\/figure\u003e\n\u003ch3\u003eتوافق فلاش البرنامج الثابت وتخطيط الذاكرة الحتمي\u003c\/h3\u003e\n\u003cp\u003eتقوم الأجهزة بتخطيط هياكل البيانات الداخلية بشكل مستقل عبر سجلات الأجهزة، مما يلغي تمامًا عبء المعالج أثناء تشغيل الشبكة. يتم بث كتل البيانات الملتزمة إلى ذاكرة SRAM المحلية تلقائيًا عبر حلقة الألياف الضوئية عبر رابط بسرعة 170 ميغابود لمزامنة جميع العقد البعيدة. يعتمد الحفاظ على حالات سجلات النظام الموحدة بشكل كبير على التوافق الدقيق لفلاش البرنامج الثابت عبر وحدات تحكم الشبكة، مما يمنع فشل محاذاة الحزم ويخفف من الشذوذات الزمنية على واجهة الناقل المتوازي.\u003c\/p\u003e\n\u003ch3\u003eالأسئلة المتكررة\u003c\/h3\u003e\n\u003cp\u003eس: هل يدعم VMIVME5576 332-015576-010 التبديل الحار أو الإدخال الحي؟\u003c\/p\u003e\n\u003cp\u003eج: لا. تفتقر واجهة الناقل المتوازي لهذه البطاقة VME إلى تباعد دبابيس الطاقة المتدرج أو دوائر الشحن المسبق المتخصصة. إدخال أو سحب البطاقة أثناء تشغيل الرف سيؤدي إلى أخطاء حرجة في الناقل وقد يتلف المحولات المنطقية المحلية.\u003c\/p\u003e\n\u003cp\u003eس: كيف تدير الشبكة ذروات سرعة نقل البيانات الفورية؟\u003c\/p\u003e\n\u003cp\u003eج: تحتوي اللوحة على FIFO للإرسال والاستقبال مدمجة تقوم بتخزين ذروات البيانات. بالإضافة إلى هذا التصميم، توفر الوحدة ثلاث مستويات من المقاطعات القابلة للتعريف من قبل المستخدم لضمان محاذاة التوقيت بين العقد وتسلسل متابعة البيانات.\u003c\/p\u003e\n\u003ch3\u003eإرشادات التثبيت الميداني\u003c\/h3\u003e\n\u003cul\u003e\n\u003cli\u003e\n\u003cstrong\u003eمحاذاة فتحة الهيكل:\u003c\/strong\u003e أدخل وحدة VME في فتحة الهيكل المخصصة باستخدام القضبان الإرشادية المدمجة. اضغط بشكل متساوٍ حتى تثبت موصلات اللوحة الخلفية بإحكام، ثم ثبت براغي اللوحة الأمامية.\u003c\/li\u003e\n\u003cli\u003e\n\u003cstrong\u003eقيود توصيل الألياف الضوئية:\u003c\/strong\u003e تأكد من نظافة أسطح التوصيل لنهاية ST\/PC البصرية. نظف نهايات الألياف متعددة الأنماط بقطر 62.5 ميكرومتر قبل الإدخال، وحافظ على الحد الأدنى لنصف قطر الانحناء المحدد لتجنب التوهين البصري.\u003c\/li\u003e\n\u003cli\u003e\n\u003cstrong\u003eإدارة الشحنة الساكنة:\u003c\/strong\u003e استخدم دائمًا سوار معصم مؤرض لمكافحة الكهرباء الساكنة عند التعامل مع تجميع البطاقة لمنع تفريغ الشحنة الساكنة الضار إلى دوائر SRAM وFIFO المدمجة على اللوحة.\u003c\/li\u003e\n\u003c\/ul\u003e","brand":"General Electric","offers":[{"title":"Default Title","offer_id":53114135544117,"sku":"VMIVME5576 332-015576-010","price":66.0,"currency_code":"USD","in_stock":true}],"thumbnail_url":"\/\/cdn.shopify.com\/s\/files\/1\/0973\/7630\/5461\/files\/VMIVME5576332-015576-010.png?v=1783667376","url":"https:\/\/www.5gplc.com\/ar\/products\/ge-vmivme5576-332-015576-010-reflective-memory-module","provider":"High Five PLC Solution Limited","version":"1.0","type":"link"}