{"product_id":"ge-d20-eme-ethernet-and-memory-expansion-module","title":"وحدة توسيع الذاكرة والإيثرنت GE D20 EME","description":"\u003cp\u003eتعمل وحدة \u003cstrong\u003eGE D20 EME\u003c\/strong\u003e، المعروفة أيضًا باسم \u003cstrong\u003eD20 EME\u003c\/strong\u003e وحدة توسيع الإيثرنت والذاكرة، كمكون مادي مخصص لتوسيع المعالجة المحلية وتحويل وسط الشبكة ضمن منصات أتمتة المحطات الفرعية D20.\u003c\/p\u003e\n\u003ch3\u003eالمواصفات المادية\u003c\/h3\u003e\n\u003cfigure class=\"table\"\u003e\n\u003ctable\u003e\n\u003cthead\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003cth\u003e\u003cstrong\u003eالمعلمة\u003c\/strong\u003e\u003c\/th\u003e\n\u003cth\u003e\u003cstrong\u003eالمواصفة\u003c\/strong\u003e\u003c\/th\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003c\/thead\u003e\n\u003ctbody\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003eالنموذج\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003eD20 EME\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003eالعلامة التجارية\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003eGE (جنرال إلكتريك)\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003eالمنشأ\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003eالولايات المتحدة\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003eالوزن\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003eوزن مكون الرف القياسي\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003eالأبعاد\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003eعرض 19.0\" × ارتفاع 5.25\" × عمق 8.1\"\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003eدرجة حرارة التشغيل\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e-20 إلى 60 درجة مئوية\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003eاستهلاك الطاقة\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003eيعتمد على مدخل الطاقة الأساسي\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003eخيارات مزود الطاقة\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e20-60 فولت تيار مستمر \/ 100-300 فولت تيار مستمر \/ 85-264 فولت تيار متردد\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003eأنواع الوسائط المدعومة\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e10Base-T، 10Base-2، 10Base-FL\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003eخيارات الذاكرة\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e0 ميجابايت، 8 ميجابايت، أو 16 ميجابايت SRAM مدعومة ببطارية\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003eمنافذ الاتصال\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003e7 منافذ تسلسلية RS-232\/485، 1 منفذ صيانة RS-232، 2 رابط D.20 HDLC\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003ctr\u003e\n\u003ctd\u003eالامتثال للمعايير\u003c\/td\u003e\n\u003ctd\u003eEN 61000-6-2 (مناعة)، EN 61000-6-4 (انبعاثات)\u003c\/td\u003e\n\u003c\/tr\u003e\n\u003c\/tbody\u003e\n\u003c\/table\u003e\n\u003c\/figure\u003e\n\u003ch3\u003eتفصيل اللاحقة ومصفوفة النموذج\u003c\/h3\u003e\n\u003cul\u003e\n\u003cli\u003e\n\u003cstrong\u003eD20 EME\u003c\/strong\u003e: هيكل الوحدة الأساسية التي تدل على قدرة توسيع الإيثرنت والذاكرة.\u003c\/li\u003e\n\u003cli\u003e\n\u003cstrong\u003eتكوينات مصفوفة الذاكرة\u003c\/strong\u003e: تحدد ملفات التجميع المصنعية المنفصلة سعات الاحتفاظ بالذاكرة المتطايرة المدعومة ببطارية على اللوحة، مشفرة صراحة كتصاميم SRAM بسعات 0 ميجابايت، 8 ميجابايت، أو 16 ميجابايت.\u003c\/li\u003e\n\u003cli\u003e\n\u003cstrong\u003eرموز مصفوفة مزود الطاقة\u003c\/strong\u003e: تشير التعيينات الأساسية إلى ملفات تثبيت لوحة الطاقة الداخلية، مميزة بين التيار المستمر منخفض الجهد (20-60 فولت) ونطاقات الجهد العالي الشاملة (100-300 فولت تيار مستمر \/ 85-264 فولت تيار متردد).\u003c\/li\u003e\n\u003c\/ul\u003e\n\u003ch3\u003eتوافق فلاش البرنامج الثابت ومعالجة التسلسل إلى الإيثرنت\u003c\/h3\u003e\n\u003cp\u003eتتعامل بنية المعالجة مع توجيه حزم البيانات بين شبكات الأجهزة الطرفية القديمة HDLC وروابط المحطة الفرعية الخارجية. تتطابق معدلات الترجمة من التسلسل إلى الإيثرنت مع كتل التوقيت المحلية لمنع تقطيع البيانات عبر الاتصالات غير المتزامنة. لضمان سلامة تسجيل التشخيص ومنع فشل توازن الذاكرة داخل بنوك SRAM المتطايرة، يعتمد دمج العقدة كليًا على التحقق من قواعد توافق فلاش البرنامج الثابت الدقيقة عبر لوحة التحكم الرئيسية D20 النشطة.\u003c\/p\u003e\n\u003ch3\u003eالأسئلة المتكررة\u003c\/h3\u003e\n\u003cp\u003eس: هل تدعم وحدة D20 EME الإدخال الحي على اللوحة الخلفية أو الاستبدال الساخن؟\u003c\/p\u003e\n\u003cp\u003eج: لا. تفتقر الاتصالات المنطقية الداخلية وخطوط العنوان المشتركة في ناقل المعالجة عالي السرعة إلى حدود عزل كهربائي نشط. يجب قفل ناقل طاقة الهيكل قبل تركيب الوحدة لمنع تعطل الأجهزة.\u003c\/p\u003e\n\u003cp\u003eس: كيف يتم إدارة تعيين الذاكرة إذا تم ترقية تكوين SRAM المدعوم ببطارية؟\u003c\/p\u003e\n\u003cp\u003eج: يتطلب تغيير تكوين الذاكرة ضبط قفزات مادية على لوحة الدائرة وتطبيق برنامج توافق فلاش البرنامج الثابت المطابق. تضمن هذه العملية تعرف نظام تشغيل D20 على مساحات عناوين الذاكرة الموسعة أثناء تهيئة الإقلاع.\u003c\/p\u003e\n\u003ch3\u003eإرشادات التثبيت الميداني\u003c\/h3\u003e\n\u003cul\u003e\n\u003cli\u003e\n\u003cstrong\u003eمحاذاة رف الهيكل:\u003c\/strong\u003e قم بسحب الوحدة ذات الـ 19 بوصة بسلاسة داخل قضبان الدليل الفرعية المخصصة، وشد جميع البراغي الأربعة في اللوحة الأمامية إلى الإطار لضمان استمرارية التأريض الموحدة.\u003c\/li\u003e\n\u003cli\u003e\n\u003cstrong\u003eالاتصال البصري بالألياف:\u003c\/strong\u003e نظف جميع موصلات 10Base-FL ST قبل الإدخال، مع التحقق من أن نصف قطر انحناء الألياف لا يقل عن 30 مم لمنع تدهور إشارة الهيكل.\u003c\/li\u003e\n\u003cli\u003e\n\u003cstrong\u003eتأريض خط الاتصال التسلسلي:\u003c\/strong\u003e أرض جميع أسلاك تصريف شبكة RS-485 الخارجية عند نقطة دخول الهيكل فقط، لقمع الضوضاء المشتركة المحلية عبر منافذ الاتصال السبعة النشطة.\u003c\/li\u003e\n\u003c\/ul\u003e","brand":"General Electric","offers":[{"title":"Default Title","offer_id":53114686013749,"sku":"D20 EME","price":66.0,"currency_code":"USD","in_stock":true}],"thumbnail_url":"\/\/cdn.shopify.com\/s\/files\/1\/0973\/7630\/5461\/files\/D20EME1.png?v=1783675074","url":"https:\/\/www.5gplc.com\/ar\/products\/ge-d20-eme-ethernet-and-memory-expansion-module","provider":"High Five PLC Solution Limited","version":"1.0","type":"link"}