تفاصيل المنتج
تعمل وحدة GE D20 EME، المعروفة أيضًا باسم D20 EME وحدة توسيع الإيثرنت والذاكرة، كمكون مادي مخصص لتوسيع المعالجة المحلية وتحويل وسط الشبكة ضمن منصات أتمتة المحطات الفرعية D20.
المواصفات المادية
| المعلمة | المواصفة |
|---|---|
| النموذج | D20 EME |
| العلامة التجارية | GE (جنرال إلكتريك) |
| المنشأ | الولايات المتحدة |
| الوزن | وزن مكون الرف القياسي |
| الأبعاد | عرض 19.0" × ارتفاع 5.25" × عمق 8.1" |
| درجة حرارة التشغيل | -20 إلى 60 درجة مئوية |
| استهلاك الطاقة | يعتمد على مدخل الطاقة الأساسي |
| خيارات مزود الطاقة | 20-60 فولت تيار مستمر / 100-300 فولت تيار مستمر / 85-264 فولت تيار متردد |
| أنواع الوسائط المدعومة | 10Base-T، 10Base-2، 10Base-FL |
| خيارات الذاكرة | 0 ميجابايت، 8 ميجابايت، أو 16 ميجابايت SRAM مدعومة ببطارية |
| منافذ الاتصال | 7 منافذ تسلسلية RS-232/485، 1 منفذ صيانة RS-232، 2 رابط D.20 HDLC |
| الامتثال للمعايير | EN 61000-6-2 (مناعة)، EN 61000-6-4 (انبعاثات) |
تفصيل اللاحقة ومصفوفة النموذج
- D20 EME: هيكل الوحدة الأساسية التي تدل على قدرة توسيع الإيثرنت والذاكرة.
- تكوينات مصفوفة الذاكرة: تحدد ملفات التجميع المصنعية المنفصلة سعات الاحتفاظ بالذاكرة المتطايرة المدعومة ببطارية على اللوحة، مشفرة صراحة كتصاميم SRAM بسعات 0 ميجابايت، 8 ميجابايت، أو 16 ميجابايت.
- رموز مصفوفة مزود الطاقة: تشير التعيينات الأساسية إلى ملفات تثبيت لوحة الطاقة الداخلية، مميزة بين التيار المستمر منخفض الجهد (20-60 فولت) ونطاقات الجهد العالي الشاملة (100-300 فولت تيار مستمر / 85-264 فولت تيار متردد).
توافق فلاش البرنامج الثابت ومعالجة التسلسل إلى الإيثرنت
تتعامل بنية المعالجة مع توجيه حزم البيانات بين شبكات الأجهزة الطرفية القديمة HDLC وروابط المحطة الفرعية الخارجية. تتطابق معدلات الترجمة من التسلسل إلى الإيثرنت مع كتل التوقيت المحلية لمنع تقطيع البيانات عبر الاتصالات غير المتزامنة. لضمان سلامة تسجيل التشخيص ومنع فشل توازن الذاكرة داخل بنوك SRAM المتطايرة، يعتمد دمج العقدة كليًا على التحقق من قواعد توافق فلاش البرنامج الثابت الدقيقة عبر لوحة التحكم الرئيسية D20 النشطة.
الأسئلة المتكررة
س: هل تدعم وحدة D20 EME الإدخال الحي على اللوحة الخلفية أو الاستبدال الساخن؟
ج: لا. تفتقر الاتصالات المنطقية الداخلية وخطوط العنوان المشتركة في ناقل المعالجة عالي السرعة إلى حدود عزل كهربائي نشط. يجب قفل ناقل طاقة الهيكل قبل تركيب الوحدة لمنع تعطل الأجهزة.
س: كيف يتم إدارة تعيين الذاكرة إذا تم ترقية تكوين SRAM المدعوم ببطارية؟
ج: يتطلب تغيير تكوين الذاكرة ضبط قفزات مادية على لوحة الدائرة وتطبيق برنامج توافق فلاش البرنامج الثابت المطابق. تضمن هذه العملية تعرف نظام تشغيل D20 على مساحات عناوين الذاكرة الموسعة أثناء تهيئة الإقلاع.
إرشادات التثبيت الميداني
- محاذاة رف الهيكل: قم بسحب الوحدة ذات الـ 19 بوصة بسلاسة داخل قضبان الدليل الفرعية المخصصة، وشد جميع البراغي الأربعة في اللوحة الأمامية إلى الإطار لضمان استمرارية التأريض الموحدة.
- الاتصال البصري بالألياف: نظف جميع موصلات 10Base-FL ST قبل الإدخال، مع التحقق من أن نصف قطر انحناء الألياف لا يقل عن 30 مم لمنع تدهور إشارة الهيكل.
- تأريض خط الاتصال التسلسلي: أرض جميع أسلاك تصريف شبكة RS-485 الخارجية عند نقطة دخول الهيكل فقط، لقمع الضوضاء المشتركة المحلية عبر منافذ الاتصال السبعة النشطة.
معلومات إضافية
- قطع أصلية 100%: جميع المنتجات أصلية وموثوقة، مما يضمن أداءً صناعيًا موثوقًا.
- ضمان استرداد خلال 30 يومًا: يمكن إرجاع أي منتج متوفر في المخزون خلال 30 يومًا في عبوته الأصلية غير المفتوحة لاسترداد كامل (باستثناء الشحن والرسوم).
- ضمان لمدة 12 شهرًا: يغطي العيوب في المواد أو التصنيع؛ لا يشمل سوء الاستخدام أو التآكل الطبيعي أو التعديلات غير المصرح بها.
- الشحن إلى جميع أنحاء العالم: نشحن عبر USPS وUPS وFedEx وDHL. تختلف أوقات التسليم حسب البلد وقد تخضع للجمارك أو رسوم الاستيراد.
- الدعم والتواصل: يتوفر الدعم الفني وضمان الخدمة في أي وقت. تواصل معنا هنا: اتصل بنا.
- إرشادات الشراء: تحقق من مواصفات المنتج والتوافق بعناية قبل الطلب لضمان الاستخدام الصحيح.





























